功能描述：IGBT 晶体管
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
栅极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：150 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：187 W
最大工作温度：
封装 / 箱体：TO-247
封装：Tube
SGH10N60RUFD
SGH10N60RUFDTU
SGH10N60RUFDTU=G10
SGH10N60RUFDTU=G10N60RU
SGH10N60RUFTU
SGH10N60UFDTU
SGH13N60UFDTU
SGH15N120RUF
SGH15N120RUFD
SGH15N120RUFDTU